異型銅厚共存基板−Different Thick Copper

    大陽工業では、過去より培われてきた大電流基板製造技術の応用で、1つの層において
    2種類(厚銅部300μmと薄銅部50μm)の銅厚を共存させることを可能にしました。
    この基板によって、従来、別々にしていた「大電流部」と「制御回路部」を1枚の基板
    に共存させることが可能となり、組立工数や部品点数の削減を実現でき、そして今では
    一番よく使われる仕様に成長致しました。
    また、小型化の進むGaNやSiCに代表されるパワーデバイスにも最適な基板です。

ガリウムナイトライド

大電流部と制御回路部を同一基板へ

    基板上の好きなところを300μmにしたり50μmにしたりエリアで分けることなく、
    自由自在に銅箔厚を変えられるため、使い勝手の良さが抜群

gallium nitride

GaNやSiCなどのパワーデバイスに最適な基板

    Silicon Carbide

    300μmの厚銅箔と50μmの薄銅箔は繋ぐこともできるため、
    「大電流を流すから厚銅箔を使いたい、でも狭ピッチだから
    L/S の問題で厚銅箔が使えない」という GaN や SiC などの
    パワーデバイスの搭載に最適

窒化ガリウム

仕様

    層 数  :2〜6層
    板 厚  :1.3〜3.5mm
    銅箔厚  :外層銅箔厚)300μm
          内層銅箔厚)18/35/70/105/140/175/210/240/300/400/500μm
    その他  :UL取得済み →イエローカードはこちら
    
    銅インレイ:銅インレイ対応、圧入、高放熱

使用用途例

  • デュアルコンプレッサー
  • カーエレクトロニクス
  • その他
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